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无线和射频半导体
PD55035STR-E参考图片

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PD55035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:50,187(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55035STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 2.412 - 2.484 GHz 17 dBm, 3.3 V
1:¥14.9838
250:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
2,500:¥7.9891
参考库存:17433
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC4
1:¥43.7988
10:¥39.1884
25:¥35.2673
100:¥32.1146
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无线和射频半导体
射频放大器 0.5 GHz-12 GHz GaAs pHEMT
25:¥462.961
50:¥439.7508
100:¥425.9987
200:¥411.094
参考库存:5062
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN48 2.4 G extended 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO
1:¥50.6353
10:¥49.72
25:¥48.7934
50:¥46.8724
参考库存:6239
无线和射频半导体
射频检测器 0.05-1GHz 75dB Log Detector/Controller
1:¥64.5456
10:¥60.9296
25:¥48.7143
50:¥46.33
2,500:¥29.8885
参考库存:15891
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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