HMC452ST89详细信息_HMC452ST89相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	否
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-4
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31.5 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6.5 dB
OIP3 - 三阶截点	49 dBm
工作电源电流	510 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	20 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NRF24LE1-O17Q24-T	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 ULTR-LW POW WIRELS SOC SOL	490:¥23.1311 980:¥20.5886 1,470:¥17.4472 2,940:¥16.5997	参考库存:45931
RFPA5512SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5GHz Discrete PA	100:¥23.5153 200:¥21.5943	参考库存:45936
QPA9805SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 0.6-1.0 GHz 0.5W Balanced Amplifier	100:¥39.2675	参考库存:45941
HMC444LP4ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Active x8 mult SMT, 9.9 - 11.2 GHz Fout	500:¥508.5226	参考库存:45946
GC4712-42	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	30:¥254.8828 50:¥246.8824 100:¥238.9724 250:¥223.062	参考库存:45951