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无线和射频半导体
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D2218UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Flangeless DP
配置
Single
高度
3.56 mm
长度
6.35 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2218UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC641ALP4ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl DC-20
1:¥562.7739
5:¥553.8582
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500:¥467.7974
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AT-2205(40)
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参考库存:26630
ATT-0333-25-SMA-02
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衰减器 FIXED ATTENUATOR,DC-25
1:¥979.7891
5:¥922.08
10:¥864.45
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参考库存:1248
TGA2533-SM
Qorvo
无线和射频半导体
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1:¥307.36
25:¥261.256
100:¥222.836
200:¥222.836
参考库存:26637

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