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无线和射频半导体
HMC219BMS8GE参考图片

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HMC219BMS8GE

  • Analog Devices
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  • 射频混合器 Mixer
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库存:3,406(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥94.7392
94.7392
10
¥87.0552
870.552
25
¥83.5296
2088.24
100
¥73.5404
7354.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
2.5 GHz to 7 GHz
转换损失——最大
11 dB
NF—噪声系数
8 dB
LO频率
2.5 GHz to 7 GHz
中频
DC to 3 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
系列
HMC219B
技术
GaAs
商标
Analog Devices
开发套件
EV1HMC219BMS8G
OIP3 - 三阶截点
18 dBm
P1dB - 压缩点
11 dBm
Pd-功率耗散
972 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC219BMS8GE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 SNGL-CHP ANT SOL W/8-CH
1:¥53.3247
10:¥42.8722
100:¥39.0302
250:¥35.1882
4,000:¥23.052
参考库存:28197
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC 4 BLE CY8C41x
1:¥48.1832
10:¥43.0304
25:¥38.7251
100:¥35.2673
参考库存:3400
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 11.5dB
1:¥1,111.2646
参考库存:28204
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:28209
无线和射频半导体
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
1:¥32.0468
10:¥31.4253
25:¥30.8942
50:¥30.2727
2,500:¥29.5043
参考库存:28214
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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