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无线和射频半导体
MRF8P9300HSR6参考图片

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MRF8P9300HSR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
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库存:49,164(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,610.4873
241573.095
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.6 dB
输出功率
100 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.86 GHz to 0.96 GHz
系列
MRF8P9300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935310166128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P9300HSR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 Multi-Ch Quad-Config Recvr w/Digi B-band
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2101
250:¥20.1366
3,000:¥14.4414
参考库存:13205
无线和射频半导体
RFID应答器 MAGICSTRAP NFC TAG w/ antenna
1:¥13.3679
10:¥9.4468
100:¥8.2264
250:¥7.0964
6,000:¥5.1302
参考库存:20717
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM Ip1dB 15dB IL .4dB
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
100:¥17.8314
3,000:¥10.9836
参考库存:8559
无线和射频半导体
衰减器 2db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:7286
无线和射频半导体
射频放大器 DC-500MHz SSG 14.9dB NF 3.3dB Pout
1:¥47.8668
25:¥36.6572
100:¥28.6568
250:¥23.7413
500:¥21.2892
1,000:¥18.7467
参考库存:12783
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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