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无线和射频半导体
A3T18H455W23SR6参考图片

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A3T18H455W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥873.7499
131062.485
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.7 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935354975128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
优势价格，A3T18H455W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX2686LEWS+T
Maxim Integrated
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射频放大器 GPS/GNSS Low-Noise Amplifier
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10:¥10.5994
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50:¥8.0682
2,500:¥5.4918
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BGA 427 H6327
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1:¥6.3732
10:¥5.4805
100:¥4.2149
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SI4706-D50-GM
Silicon Labs
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1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:6249

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