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无线和射频半导体
LET9045C参考图片

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LET9045C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
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数量单价合计
1
¥639.3088
639.3088
5
¥627.5568
3137.784
10
¥599.2729
5992.729
25
¥579.2945
14482.3625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
70 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
LET9045C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
商品其它信息
优势价格,LET9045C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 RDS/RBDS DECODE-IC
1:¥27.6624
10:¥23.5153
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
参考库存:9996
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:30405
无线和射频半导体
射频放大器 400-2700MHz NF 3.5dB OIP3 44dBm @ 900MHz
1:¥25.3572
10:¥22.7469
25:¥20.4417
100:¥18.5998
2,500:¥12.9046
参考库存:30410
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:7508
无线和射频半导体
射频收发器 SINGLE-CHIP RF TRANSCEIVER
1:¥48.7143
10:¥44.0248
25:¥40.7252
100:¥36.4199
参考库存:30417
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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