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无线和射频半导体
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LET9045C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
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639.3088
5
¥627.5568
3137.784
10
¥599.2729
5992.729
25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
70 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
LET9045C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
商品其它信息
优势价格，LET9045C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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