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分立半导体
BSC118N10NS G参考图片

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BSC118N10NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存：29,333(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
1,000
¥5.6274
5627.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
11.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N1NSGXT SP000379599
商品其它信息
优势价格，BSC118N10NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ51D10E3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:32508
VS-10RIA120M
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3
100:¥129.9387
300:¥118.4127
500:¥110.8078
参考库存:32513
2EZ18D5E3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8025
参考库存:32518
VS-20MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2.1 Amp 40 Volt 120 Amp IFSM
7,500:¥2.3165
22,500:¥2.2261
参考库存:32523
SMBJ5946AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:32528

  • 海量现货

    50万现货SKU

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