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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	5 A
Rds On-漏源导通电阻	200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Qg-栅极电荷	18 nC
Pd-功率耗散	31 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VNP5N07
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型	Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	4 S
下降时间	40 ns, 1100 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	60 ns, 400 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	150 ns, 3900 ns
典型接通延迟时间	50 ns, 150 ns
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTX2N6301	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	达林顿晶体管 Power BJT	1:¥380.2789 5:¥359.7694 10:¥355.6901 25:¥328.9543	参考库存:42033
1N4932	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Temperature Compensated	1:¥592.3573 2:¥580.6844 5:¥574.379 10:¥556.4007	参考库存:42038
BCR185E6327HTSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥1.5368 10:¥1.04525 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 3,000:¥0.23843	参考库存:42043
2N1890	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥189.7948 5:¥181.2633 10:¥175.5794 25:¥161.364	参考库存:42048
F4-100R06KL4	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK	1:¥878.2021 5:¥862.0657 10:¥823.2615 25:¥795.8364	参考库存:42053