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分立半导体

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F4-100R06KL4

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK
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库存：42,053(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥878.2021
878.2021
5
¥862.0657
4310.3285
10
¥823.2615
8232.615
25
¥795.8364
19895.91
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
F4100R06KL4BOSA1 SP000100429
商品其它信息
优势价格，F4-100R06KL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KDZTR16B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 16.2 to 18.3V; 20mA 1000mW
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.2769
参考库存:18764
1N5969
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥171.8165
5:¥164.1325
10:¥158.9797
25:¥146.0751
参考库存:1871
BC 859C E6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:268088
1N4568AUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥110.6496
10:¥100.5022
25:¥92.9764
50:¥87.9818
参考库存:2250
BGX50AE6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 AF DIODE 70V 0.14A
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:50457

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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