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分立半导体
STS8N6LF6AG参考图片

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STS8N6LF6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
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数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STS8N6LF6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
9.6 ns
商品其它信息
优势价格,STS8N6LF6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
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3,000:¥0.29945
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.2147
45,000:¥0.1921
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桥式整流器 1.5A,400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
3,000:¥1.6272
参考库存:42996
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    50万现货SKU

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