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分立半导体
IPU80R600P7AKMA1参考图片

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IPU80R600P7AKMA1

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库存:2,995(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.5709
5570.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
510 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPU80R600P7 SP001644622
商品其它信息
优势价格,IPU80R600P7AKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
25:¥2,312.1947
参考库存:45092
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1600 Volt 300 Amp
1:¥932.9167
5:¥914.622
10:¥871.9758
25:¥853.6924
参考库存:45097
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥508.1384
2:¥498.8498
5:¥493.1546
10:¥478.2499
参考库存:45102
分立半导体
双向可控硅 800V 16A 20-20-20mA
500:¥15.4471
参考库存:45107
分立半导体
IGBT 模块 1200V 150A DUAL
1:¥1,164.8153
5:¥1,136.8478
10:¥1,108.5752
25:¥1,093.049
参考库存:45112
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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