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分立半导体
BF999E6327HTSA1参考图片

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BF999E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
999 BF BF999E6327XT E6327 SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BF999E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
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10:¥2.5425
100:¥1.5481
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1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
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JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥18.5998
10:¥14.9838
100:¥11.9893
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V -100mA HFE/220
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
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分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:34158
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