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分立半导体
SGD02N120参考图片

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SGD02N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0738
3536.9
2,500
¥4.9494
12373.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGD02N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6.2 A
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
SGD02N120BUMA1 SGD2N12XT SP000012566
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SGD02N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 1A 双向可控硅
1:¥4.8364
10:¥3.2431
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4012
参考库存:22624
分立半导体
整流器 1A 400V Ultrafast
1:¥4.1471
10:¥3.2205
100:¥2.3843
500:¥1.9662
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:49096
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30 Volt
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.46104
参考库存:191698
分立半导体
MOSFET P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9043
500:¥6.1133
3,000:¥4.2714
9,000:查看
参考库存:68650
分立半导体
MOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5153
250:¥22.3627
500:¥20.0575
1,000:¥16.9048
参考库存:9202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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