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分立半导体
IRF6641TRPBF参考图片

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IRF6641TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
4,800
¥10.7576
51636.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MZ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001559700
商品其它信息
优势价格,IRF6641TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS302ND/SC-74/REEL 7" Q3/T4
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
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1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:15860
分立半导体
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1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:14722
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1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:7524
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1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:283646
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    50万现货SKU

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