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分立半导体
NSS1C200MZ4T3G参考图片

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NSS1C200MZ4T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIP POWER TRAN SOT223
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.8419
1841.9
4,000
¥1.5707
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C200
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，NSS1C200MZ4T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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60:¥353.0798
100:¥327.1802
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BZX84C6V2
Rectron
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24,000:¥0.29154
参考库存:32431
IKW20N60TAFKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥25.5154
480:¥24.2046
720:¥21.6734
参考库存:32436

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