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分立半导体
IKW20N60TAFKSA1参考图片

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IKW20N60TAFKSA1

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数量单价合计
240
¥25.5154
6123.696
480
¥24.2046
11618.208
720
¥21.6734
15604.848
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TA IKW2N6TAXK SP000647360
商品其它信息
优势价格,IKW20N60TAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms
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4,500:¥9.831
9,000:¥9.4468
参考库存:41809
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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