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分立半导体
STGW80V60DF参考图片

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STGW80V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate V series 600V 80A HiSpd
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数量单价合计
1
¥54.8615
54.8615
10
¥49.6409
496.409
25
¥47.3357
1183.3925
100
¥41.0303
4103.03
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80V60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW80V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTV16B-M3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 16volt
10,000:¥0.78422
20,000:¥0.71416
参考库存:35537
FESF16JTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16 Amp 600 Volt 50ns 250 Amp IFSM
1,000:¥7.571
参考库存:35542
GLL4738-E3/97
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 1 Watt 10%
5,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
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QK025R6TP
Littelfuse
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双向可控硅 1000V 25A 80-80-80mA
500:¥19.3682
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BZG05B100-M3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:35557

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