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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	3.4 A
Rds On-漏源导通电阻	83 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	3 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	5 W
配置	Single
商标名	PowerTrench
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
系列	FDS86106
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Power Trench MOSFET
宽度	3.9 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	6 S
下降时间	10 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	10 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	10 ns
单位重量	130 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TS4B07G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 4.0 Amp 1000 Volt 120 Amp IFSM	1:¥8.1473 10:¥7.458 100:¥5.7404 500:¥4.2488	参考库存:9115
TPH4R008NH,L1Q	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET	1:¥21.7412 10:¥17.515 100:¥13.9894 500:¥12.2944 5,000:¥9.1417 10,000:查看	参考库存:28987
IPI70N10SL-16	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS	1:¥21.5152 10:¥18.2834 100:¥14.5996 500:¥12.8368	参考库存:6984
RFV5BM6SFHTL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 5A IO TO-252(DPAK); TO-252	1:¥7.9891 10:¥6.8704 100:¥5.2771 500:¥4.6669 2,500:¥3.2657 10,000:查看	参考库存:29571
STN0214	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran	1:¥6.6896 10:¥5.7065 100:¥4.3844 500:¥3.8759 1,000:¥3.0623	参考库存:4713