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分立半导体
IPP60R099C6参考图片

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IPP60R099C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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库存：2,714(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
500
¥28.2048
14102.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPP60R099C6XKSA1 IPP6R99C6XK SP000687556
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UG4D-E3/73
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
1:¥4.3844
10:¥3.3222
100:¥2.4634
500:¥2.0227
1,000:¥1.5707
参考库存:13494
MMBZ5227BLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.6V 225mW
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:459336
BZT55C5V6-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
2,500:¥0.26103
5,000:查看
参考库存:80263
DMP2170U-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:15875
BZX84-C5V6,235
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥1.1526
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:52552

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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