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射频晶体管
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AGR09045EF

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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
商品其它信息
优势价格，AGR09045EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF148AMP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥675.2654
25:¥649.7613
50:¥641.0038
100:¥587.1367
参考库存:35190
A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:35195
KSC1674YBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
参考库存:34799
VRF3933
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥891.344
2:¥863.6816
5:¥863.3765
10:¥835.5559
参考库存:1716
MAPR-002731-115M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:35204

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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