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射频晶体管
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MRF8HP21080HR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
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数量单价合计
1
¥478.0239
478.0239
5
¥464.0345
2320.1725
10
¥454.1244
4541.244
25
¥435.0726
10876.815
250
¥385.7368
96434.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.5 dB
输出功率
16 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
系列
MRF8HP21080H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
零件号别名
935310794128
单位重量
6.469 g
商品其它信息
优势价格，MRF8HP21080HR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF465AG
Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
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