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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D5011UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE	1:¥243.2777 10:¥214.8469 25:¥194.9476 50:¥173.5793	参考库存:35783
TGF2023-2-20	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB	暂无价格	参考库存:35788
AFV09P350-04GNR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V	250:¥1,497.0014	参考库存:35793
BFG35,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ	1:¥9.1417 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 1,000:¥4.181	参考库存:25637
QPA3506EVB01	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频开发工具 QPA3506, Eval Board 3.4-3.6GHz	暂无价格	参考库存:35800