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射频晶体管
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STAC2942FW

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
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1
¥676.192
676.192
5
¥663.7394
3318.697
10
¥633.8509
6338.509
25
¥612.7199
15317.9975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
21 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244F
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC2942F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 s
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 740F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:84289
MMRF5014HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
1:¥2,755.7084
5:¥2,713.3786
10:¥2,673.0376
25:¥2,615.3285
50:¥2,575.1344
参考库存:5981
MCH4015-TL-H
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:154438
QPD1019
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:39251
SD1143-01
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:39256

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