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射频晶体管
PD20010-E参考图片

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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥139.5437
139.5437
10
¥128.3228
1283.228
25
¥123.0231
3075.5775
100
¥108.3444
10834.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
2 GHz
系列
PD20010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD20010-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:52953
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310HS/CFM4F///REEL 13
1:¥743.653
5:¥729.2116
10:¥705.1652
25:¥675.2654
50:¥666.0446
参考库存:37566
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-SERIES 6MM 35U SMTPA
1:¥768.40
参考库存:4180
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:16047
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,205.7778
5:¥1,182.3416
10:¥1,143.3001
25:¥1,094.8909
50:¥1,079.9071
参考库存:37575
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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