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射频晶体管
T2G6000528-Q3 28V参考图片

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T2G6000528-Q3 28V

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
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数量单价合计
1
¥617.7936
617.7936
25
¥522.8962
13072.405
100
¥442.5984
44259.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
封装
Tray
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1099997
商品其它信息
优势价格，T2G6000528-Q3 28V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.0736
100:¥1.8758
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.2317
参考库存:27905
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:28847
AFT09H310-03SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:35140
MICROFJ-SMA-30020-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-SERIES 3MM 20U SMA
1:¥2,161.125
参考库存:1654
A2T21S160-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:35147

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