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射频晶体管
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VRF150

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥413.0941
413.0941
5
¥390.7314
1953.657
10
¥386.2792
3862.792
25
¥357.2269
8930.6725
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
18 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4.5 mS
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥63.2348
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10:¥1,698.9324
25:¥1,541.4104
50:¥1,445.7446
参考库存:39075

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    品类不断扩充

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