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射频晶体管
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6S9045NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:4978
HFA3127RZ
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
1:¥73.9924
10:¥66.8508
50:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:5785
MRF8HP21080HR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
1:¥478.0239
5:¥464.0345
10:¥454.1244
25:¥435.0726
250:¥385.7368
参考库存:36858
CGHV40200PP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥2,899.7834
参考库存:3747
BFP 620F H7764
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
3,000:¥1.3899
参考库存:14509

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    50万现货SKU

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