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射频晶体管
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TPV596

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库存:36,673(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
24 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
0.7 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
244-04
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
8.75 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TPV596的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:101679
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:35527
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥691.0967
100:¥685.4128
参考库存:35532
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,301.7422
2:¥2,246.3383
5:¥2,213.4553
10:¥2,182.0978
参考库存:35537
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:13511
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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