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射频晶体管
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SD4931

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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614.72
5
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25
¥557.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
14.8 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
250 MHz
系列
SD4931
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD4931的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF446G
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:6323
D1020UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175MHz SE
1:¥1,610.3404
10:¥1,416.003
25:¥1,286.4598
50:¥1,129.0847
参考库存:39751
D2001UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V- 1GHz SE
50:¥371.8265
100:¥361.6113
250:¥356.4585
参考库存:39756
MMRF1018NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥382.1999
参考库存:39761
D1014UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
50:¥462.1926
100:¥449.4349
参考库存:39766

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