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射频晶体管
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MRF8S7170NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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数量单价合计
1
¥643.3768
643.3768
5
¥630.9355
3154.6775
10
¥610.1096
6101.096
25
¥584.2891
14607.2275
250
¥523.8906
130972.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
728 MHz to 768 MHz
系列
MRF8S7120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935317133528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，MRF8S7170NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF 999 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:7368
A2T18S166W12SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S166W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥405.6361
参考库存:36936
ARF463BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥254.8828
5:¥243.4246
10:¥235.8197
25:¥216.6888
参考库存:3525
BFP843FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17927
PD57018TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
600:¥178.1106
参考库存:36945

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