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射频晶体管

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BF 999 E6327

  • Infineon Technologies
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
6.5 V
零件号别名
BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF 999 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB211503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥652.5976
参考库存:38731
BFR 740L3RH E6327
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10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
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5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
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CGHV59070F
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:38745

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