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射频晶体管
BFS 17S H6327参考图片

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BFS 17S H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFS17
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
1.3 GHz
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17SH6327XT BFS17SH6327XTSA1 SP000750448
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFS 17S H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
1:¥1,074.8334
10:¥949.1322
25:¥842.2455
50:¥798.2094
参考库存:37007
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3871
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:3573
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:37016
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.6781
100:¥1.4577
1,000:¥1.09158
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:45985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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