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射频晶体管
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PD85006-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
36.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD85006-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3G22H400-04SR3
NXP Semiconductors
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
250:¥983.3938
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PTFB182503FL-V2-R0
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Wolfspeed / Cree
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25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:38952

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