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射频晶体管
MRFE6VP6300-88参考图片

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MRFE6VP6300-88

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
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7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.5 dB
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935372357598
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300-88的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:35594
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25:¥4,791.3582
参考库存:35599
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1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.5255
参考库存:61983
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1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:35606
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,061.3864
10:¥973.947
25:¥874.055
50:¥774.163
参考库存:2275
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