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晶体管
ZXMN3A06DN8TA参考图片

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ZXMN3A06DN8TA

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库存:6,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
1,000
¥3.8081
3808.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
ZXMN3
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN3A06DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
2,500:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:25668
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
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晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:1175
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:46107
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双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:25679
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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