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晶体管
CSD16327Q3T参考图片

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CSD16327Q3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 25V N CH MOSFET
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数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0455
604.55
250
¥6.0455
1511.375
500
¥5.3449
2672.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16327Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
96 S
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
44.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16327Q3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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