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晶体管
SIHH21N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH21N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存：29,817(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥43.6406
436.406
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.804
8701
3,000
¥25.0521
75156.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.3 A
Rds On-漏源导通电阻
148 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH21N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7973DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 12.8A 1.4W
3,000:¥10.9158
6,000:¥10.5316
9,000:¥10.1474
参考库存:31116
PTFC261402FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:31121
2N5794U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥411.8624
参考库存:31126
CMPTA14E TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Enhanced Darlington
15,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:31131
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:31136

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    50万现货SKU

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