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晶体管
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ZXMN6A08E6TA

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库存:100,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
3,000
¥2.5764
7729.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN6A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.6 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.3 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN6A08E6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
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晶体管
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1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:17973
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
3,000:¥7.3563
6,000:查看
参考库存:19760
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:36932
晶体管
MOSFET 500V 30Ohm
1:¥12.4526
10:¥12.2944
25:¥10.2943
100:¥9.379
2,000:¥6.4862
4,000:查看
参考库存:31839
  • 海量现货

    50万现货SKU

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