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晶体管
DMN3016LPS-13参考图片

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DMN3016LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10.8 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.15 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMN3016
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.1 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3016LPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX869STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:14697
IRFP7537PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 172A TO247
1:¥25.4363
10:¥21.5943
100:¥18.7467
250:¥17.7523
500:¥15.9104
参考库存:11189
STB120N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:9436
SI4842BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 23A 3.5W
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:27248
MJD112T4
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:27775

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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