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晶体管
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STL36DN6F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 36 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
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库存：33,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6952
56.952
100
¥3.6725
367.25
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT5x6-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STL36DN6F7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
3.95 ns, 3.95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.25 ns, 3.25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.1 ns, 12.1 ns
典型接通延迟时间
7.85 ns, 7.85 ns
商品其它信息
优势价格，STL36DN6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSTA14T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:25378
IFN5546
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB
102:¥64.7038
500:¥59.0086
1,000:¥51.4037
参考库存:25383
AUIRFR4104
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:25388
2N3743
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥155.1377
10:¥140.9223
25:¥130.402
50:¥123.3282
参考库存:25393
MMS8550-L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.26894
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20792
参考库存:25398

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