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晶体管
IHW15N120R3FKSA1参考图片

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IHW15N120R3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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数量单价合计
1
¥25.199
25.199
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.5941
4398.525
500
¥15.8313
7915.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.48 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
254 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW15N120R3 IHW15N12R3XK SP000521590
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,IHW15N120R3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:9723
晶体管
MOSFET N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:29080
晶体管
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
参考库存:12987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400 V 4 A
1:¥5.989
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:25604
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
1,500:¥1.8758
参考库存:30216
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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