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晶体管
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IKW20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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库存：6,712(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMB30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:29971
PBLS4005D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:20406
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
4,000:¥3.4578
参考库存:25408
FD400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,543.1054
5:¥1,505.9849
10:¥1,468.5706
25:¥1,448.0498
参考库存:5440
FF75R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥278.3868
5:¥272.1718
10:¥259.7192
25:¥248.8825
参考库存:5512

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