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晶体管
BSO080P03NS3 G参考图片

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BSO080P03NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
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库存:7,237(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
19 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSO080P03NS3GXUMA1 BSO8P3NS3GXT SP000472996
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO080P03NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:11933
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥389.1946
5:¥380.5162
10:¥363.1481
25:¥347.927
参考库存:1495
晶体管
MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.5765
参考库存:31317
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:25344
晶体管
MOSFET PT5 150/25V PchMOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2659
参考库存:16271
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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