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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TUMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMG11N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMG11N

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC817-25Q-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor	1:¥1.8419 10:¥1.2882 100:¥0.53788 1,000:¥0.36838 3,000:¥0.28476	参考库存:137788
2N4868	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Channel 50mA	1:¥73.3822 10:¥60.1612 100:¥49.946 500:¥45.5616	参考库存:2430
SIHG25N40D-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥28.6568 10:¥23.7413 100:¥19.5942 250:¥18.984 500:¥16.9839	参考库存:5107
MJD350-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE PNP SMT	1:¥4.5313 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 2,500:¥1.5029	参考库存:16004
IPD5N25S3-430	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 250V 5A DPAK-2	1:¥6.0681 10:¥5.1076 100:¥3.2996 1,000:¥2.6329 2,500:¥2.2261	参考库存:8001