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晶体管
SIHP12N50C-E3参考图片

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SIHP12N50C-E3

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库存:1,605(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥29.9676
299.676
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.8995
5974.875
500
¥21.4361
10718.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
555 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP12N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥2.9154
10:¥2.1922
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:17701
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
500:¥19.1309
800:¥16.4415
参考库存:21148
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:43525
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA
1:¥0.84524
10:¥0.83733
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
3,000:¥0.15368
参考库存:7550432
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2124
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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