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晶体管
MRFE6VP100HR5参考图片

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MRFE6VP100HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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库存:2,124(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥691.0967
691.0967
5
¥677.7288
3388.644
10
¥655.287
6552.87
25
¥627.5568
15688.92
50
¥618.9462
30947.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
141 V
增益
26 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1800 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VP100H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935319905178
单位重量
6.396 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP100HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17703
晶体管
MOSFET 12V single P-channel MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥1.7402
参考库存:29775
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,3mW PNP Transistor
1:¥1.3108
10:¥1.1526
100:¥0.7684
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.2147
参考库存:65210
晶体管
MOSFET NX138BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
100,000:¥0.13786
参考库存:29782
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:19202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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