MMUN2133LT1G详细信息_MMUN2133LT1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	246 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MMUN2133L
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRGB4061DPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT	1:¥28.2726 10:¥23.9786 100:¥20.8259 250:¥19.7524	参考库存:7012
DCP52-16-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V	1:¥2.9945 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 2,500:¥1.00683	参考库存:8869
BCR 133W H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:169711
BCR 169 E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥1.5368 10:¥1.04525 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 3,000:¥0.23843	参考库存:5498
SQJ409EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified	1:¥9.5259 10:¥7.8422 100:¥6.0342 500:¥5.198 3,000:¥3.8307 6,000:查看	参考库存:136100