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晶体管
STB24N60DM2参考图片

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STB24N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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库存:22,229(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
500
¥14.6787
7339.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
FDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB24N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB24N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:49656
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:14683
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥395.5678
5:¥386.7312
10:¥371.6005
25:¥359.6112
参考库存:4825
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:9947
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:26829
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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