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晶体管
A2C35S12M3参考图片

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A2C35S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
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库存:4,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥395.5678
395.5678
5
¥386.7312
1933.656
10
¥371.6005
3716.005
25
¥359.6112
8990.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2C35S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2C35S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥2.2713
参考库存:24972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:10619
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9892
800:¥9.9892
参考库存:46481
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:13846
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:25398
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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